发明名称 |
半导体发光装置 |
摘要 |
一种半导体发光装置(100,300,400,500,600),在主发光方向上发出具有一个预定带宽的光,包括一个光产生区(109,405,607),用来产生光;以及一个1维光学晶体结构(113,417,615),其有一个光学带隙覆盖至少一段所述带宽。1维光学晶体结构(113,417,615)被放置成,使得一旦有从光产生区(109,405,607)产生的光入射,就被反射朝向主发光方向(111,411,609),所述光的波长在1维光学晶体结构(113,417,615)的带隙范围内。 |
申请公布号 |
CN101375418B |
申请公布日期 |
2010.04.21 |
申请号 |
CN200780003309.4 |
申请日期 |
2007.07.05 |
申请人 |
香港应用科技研究院有限公司 |
发明人 |
黄燕;邱国安;彭华军;冯剑;禇宏深 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种倒装半导体发光装置,用来在主发光方向上发出具有一个预定波长范围的光,装置包括:一个多层材料叠层,包括:一个光产生区,用来产生光;和一个p-层和一个n-层,各自靠近光产生区;一个1维光学晶体结构,被放置在或靠近多层叠层的与其发光表面相反的底表面上,其具有一个光学带隙覆盖至少一段所述波长范围,其中1维光学晶体结构被放置成,使得一旦有从光产生区发出的光入射,所述光的波长在1维光学晶体结构的带隙范围内,所述光被反射向主发光方向,一个透明导电膜,被贴到p-层与p-电极及与1维光学晶体结构之间。 |
地址 |
中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼 |