Fabrication method of transparent gate electrode for field effect transistor using carbon nanotube and Field effect transistor fabricated by the same,申请号KR20080008972-传众专利搜索

发明名称	Fabrication method of transparent gate electrode for field effect transistor using carbon nanotube and Field effect transistor fabricated by the same
摘要
申请公布号	KR100954325(B1)	申请公布日期	2010.04.21
申请号	KR20080008972	申请日期	2008.01.29
申请人		发明人
分类号	H01L29/772	主分类号	H01L29/772
代理机构		代理人
主权项
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