| 发明名称 | 稀土复合离子注入发光材料制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上注入稀土离子的复合离子；步骤3：退火，完成发光材料的制备。其核心是在离子注入进行稀土离子掺杂时利用稀土复合离子同步注入掺入其它杂质离子，无须低温、多次注入，实验重复性好，工艺简单，容易实现，适用于制备各种稀土掺杂固态发光材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101153217B | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200610140645.0 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张建国;王晓欣;成步文;余金中;王启明 |
| 分类号 | C09K11/77(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上注入稀土离子的复合离子；该复合离子注入时，复合离子的表示式为(RExRy)m+/-，其中RE代表稀土，R代表其它元素，包括氮、氧、氟、磷、硫、氯或它们的组合，x取为1，1.5，2，2.5，3，y取为1，1.5，2，2.5，3，m取为1，2，3，4，5；步骤3：退火，完成发光材料的制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||