半穿透半反射式像素结构

摘要

本发明公开了一种适于配置于一基板上的半穿透半反射式像素结构。此半穿透半反射式像素结构包括栅极层、栅绝缘层、沟道层、半穿透导电层、保护层以及第二半穿透膜。栅极层配置于基板上而栅绝缘层也配置于基板上，并且栅绝缘层覆盖住栅极层。位于栅极层上方的沟道层配置于栅绝缘层上。半穿透导电层配置于沟道层的部份区域以及栅绝缘层的部分区域上。其中，半穿透导电层包括源极、漏极以及与漏极连接的第一半穿透膜。保护层配置于半穿透导电层以及部份沟道层上。并且，位于第一半穿透膜上方的第二半穿透膜配置于保护层的部分区域上。

主权项

一种半穿透半反射式像素结构，适于配置于一基板上，该半穿透半反射式像素结构包括：一栅极层，配置于该基板上；一栅绝缘层，配置于该基板上，并且该栅绝缘层覆盖住该栅极层；一沟道层，配置于该栅绝缘层上，且该沟道层位于该栅极层的上方；一半穿透导电层，配置于该沟道层的部份区域以及该栅绝缘层的部分区域上，其中该半穿透导电层包括一源极、一漏极以及与该漏极连接的一第一半穿透膜；一电容下电极，配置于该基板上，其中该电容下电极与该第一半穿透膜构成一存储电容；一保护层，配置于该半穿透导电层以及部份该沟道层上；以及一第二半穿透膜，配置于该保护层的部份区域上，其中该第二半穿透膜位于该第一半穿透膜上方。