发明名称 高分子聚合物层的清洗方法
摘要 一种高分子聚合物层的清洗方法,包括:在晶片上形成高分子聚合物层;在晶片上方设置晶片清洗机,所述晶片清洗机具有至少两个输入端和至少一个输出端;从晶片清洗机的不同输入端分别输入载流气体与异丙醇,从晶片清洗机的输出端输出清洗液对晶片上的光刻胶进行清洗。本发明采用载流气体与异丙醇的混合液对高分子聚合物层进行清洗,去除了高分子聚合物层表面在旋涂形成工艺中产生的颗粒,同时使得后续浸入式曝光微系统的扫描速度增加。在曝光之后采用本发明的载流气体与异丙醇的混合液对高分子聚合物层进行清洗,可以去除曝光时候高分子聚合物层表面残留的水,同时去除高分子聚合物层表面的水渍及颗粒。
申请公布号 CN101211750B 申请公布日期 2010.04.21
申请号 CN200610147869.4 申请日期 2006.12.25
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 陈国庆;肖德元;颜进甫
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 逯长明
主权项 一种高分子聚合物层的清洗方法,其特征在于,包括:在晶片上形成高分子聚合物层;在晶片上的高分子聚合物层上方设置晶片清洗机,所述晶片清洗机具有至少两个输入端和至少一个输出端;从晶片清洗机的不同输入端分别输入载流气体与异丙醇;从晶片清洗机的输出端输出载流气体与异丙醇的混合液体构成清洗液对晶片上的高分子聚合物进行清洗,所述清洗液不含去离子水,所述载流气体为氮气或者惰性气体。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号