| 发明名称 | 校正生长腔温度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的校正生长腔温度的方法包括以下步骤：步骤1，绘制多晶硅折射率-温度曲线；步骤2，以步骤1绘制的多晶硅折射率-温度曲线为依据，校正生长腔的温度。该方法操作简单、成本低且校正精度高。 | ||
| 申请公布号 | CN101696495A | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200910197816.7 | 申请日期 | 2009.10.28 |
| 申请人 | 上海电机学院 | 发明人 | 杨建滨 |
| 分类号 | C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种校正生长腔温度的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤1，绘制多晶硅折射率-温度曲线；步骤2，以步骤1绘制的多晶硅折射率-温度曲线为依据，校正生长腔的温度。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区江川路690号 | ||