| 发明名称 | 激光退火的方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种通过在基板表面形成的半导体膜上照射激光束而进行的激光退火方法，包括生成与行进方向垂直的截面为矩形且电场朝矩形长边方向的线偏振的矩形激光束或者长轴朝长边方向的椭圆偏振的矩形激光束的步骤；使上述矩形激光束入射到基板表面上的步骤；以及将上述矩形激光束的波长设定为与驻波方向所要的晶粒尺寸相当的长度的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101208778B | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200680022992.1 | 申请日期 | 2006.09.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 川上隆介;西田健一郎;河口纪仁;正木深雪;芳之内淳 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种通过在基板表面形成的半导体膜上照射激光束而进行激光退火的方法，其特征在于包括如下步骤：生成与行进方向垂直的截面为矩形且电场朝向矩形的长边方向的线偏振的矩形激光束，或者长轴朝向长边方向的椭圆偏振的矩形激光束；使所述矩形激光束入射到基板的表面；以及将所述矩形激光束的波长设定为与驻波方向的所要晶粒尺寸相当的长度，所述矩形激光束的能量密度大于500mJ/cm2。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||