发明名称 电荷泵电路
摘要 本发明为一种可实现高效率电压倍增器的电路与方法,可由外部的低正负供应电压与地电位产生芯片内部所需的高正负供应电压。利用多相控制信号在内部节点的电压提升,可消除临界电压降损失,相较的下,可改善现有以二极管配置的场效晶体管电路的升压增益。以前一级的电压信号对后一级的MOS晶体管基板进行偏压,可舒缓三重井技术制作的MOS晶体管的栅极氧化层的应力。此一方法称为蛙跳式基板电压追踪法,可令不同级别的MOS晶体管呈现相同的基板效应,也即较高级别的MOS晶体管可以及较低级别的晶体管具有相同的效率。
申请公布号 CN101170275B 申请公布日期 2010.04.21
申请号 CN200710187259.1 申请日期 2007.11.15
申请人 钰创科技股份有限公司 发明人 许人寿
分类号 H02M3/07(2006.01)I 主分类号 H02M3/07(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨
主权项 一种电荷泵电路,以一第一组控制频率信号与一第二组控制频率信号驱动,其特征在于:包含有:一第一电路级,以所述的第一组控制频率信号驱动;一第二电路级,以所述的第二组控制频率信号驱动;所述的第一电路级包含有一第一晶体管、一第二晶体管和一第三晶体管;第二晶体管的源极与第一晶体管的栅极、第三晶体管的栅极连接;第二晶体管的漏极与第一晶体管的漏极、第三晶体管的漏极相连接,并做为第一电路级的输入端;第一晶体管的源极为第一电路级的输出端;所述的第二电路级包含有一第四晶体管、一第五晶体管和一第六晶体管;第五晶体管的源极与第四晶体管的栅极、第六晶体管的栅极连接;第五晶体管的漏极与第四晶体管的漏极、第六晶体管的漏极相连接,并做为第二电路级的输入端;第四晶体管的源极为第二电路级的输出端;第三晶体管连接在所述的第一电路级与所述的第二电路级之间;第三晶体管的源极与第五晶体管的栅极连接;第六晶体管连接在所述的第一电路级与所述的第二电路级之间;第六晶体管的源极与第二晶体管的栅极连接;其中,所述的电荷泵由所述的第一与第二组控制频率信号驱动,当所述的第一晶体管完全导通时所述的第三晶体管也完全导通。
地址 中国台湾新竹市