| 发明名称 | 浅沟槽隔离区、浅沟槽隔离区掩膜版及浅沟槽隔离区制造方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离区，位于半导体衬底上的相邻有源区之间，所述浅沟槽隔离区内包含至少两个浅沟槽，各所述浅沟槽间隔分布于所述浅沟槽隔离区内。各所述浅沟槽均匀分布于所述浅沟槽隔离区内；或者，各所述浅沟槽非均匀分布于所述浅沟槽隔离区内；各所述浅沟槽的尺寸相同；或者，各所述浅沟槽的尺寸不同。相应地，本发明还提供了一种浅沟槽隔离区掩膜版和一种浅沟槽隔离区的制造方法。可在相同尺寸的浅沟槽隔离区内，减少浅沟槽隔离区表面研磨凹陷的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101246884B | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200710037439.1 | 申请日期 | 2007.02.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孟兆祥;李庆刚;刘庆炜 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离区，位于半导体衬底上的相邻有源区之间，其特征在于：所述浅沟槽隔离区内包含至少两个浅沟槽，各所述浅沟槽间隔分布于所述浅沟槽隔离区内。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||