发明名称 |
光纤以及光信号处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种光纤,包括:位于中心部的第一芯子;被设置在该第一芯子外周,具有比所述第一芯子的折射率低的折射率的第二芯子;以及被设置在该第二芯子的外周,具有比所述第一芯子的折射率低,比第二芯子的折射率高的折射率的包层,所述光纤在波长1550nm的色散的绝对值小于或等于20ps/nm/km,在波长1550nm的有效截面积Aeff小于或等于15μm 2,并且在波长1550nm的非线性常数n 2/Aeff大于或等于25×10 -10/W,在所述包层中掺杂锗。 |
申请公布号 |
CN101187716B |
申请公布日期 |
2010.04.21 |
申请号 |
CN200710166871.0 |
申请日期 |
2005.01.25 |
申请人 |
古河电气工业株式会社 |
发明人 |
宫部亮;广石治郎 |
分类号 |
G02B6/036(2006.01)I;G02B6/02(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/036(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种光纤,包括:位于中心部的第一芯子;被设置在该第一芯子外周,具有比所述第一芯子的折射率低的折射率的第二芯子;以及被设置在该第二芯子的外周,具有比所述第一芯子的折射率低,比第二芯子的折射率高的折射率的包层,所述光纤在波长1550nm的色散的绝对值小于或等于20ps/nm/km,在波长1550nm的有效截面积Aeff小于或等于15μm2,并且在波长1550nm的非线性常数n2/Aeff大于或等于25×10-10/W,在所述包层中掺杂锗,其中,在光纤的长度为400米~1千米的情况下,在波长1510nm至1590nm的任意波长中,光纤纵向的色散的最大值和最小值的差小于或等于1ps/nm/km。 |
地址 |
日本东京都 |