发明名称 |
金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法 |
摘要 |
一种金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法,其特征在于所述方法包括:采用CVD化学气相沉积金刚石设备,以金刚石单晶为晶种,于700~2000℃的温度下进行气相沉积的内延修复和外延生长。该方法能够同时实现金刚石单晶的同质内延修复和同质外延生长,其可用于修复现有金刚石的内部空洞和裂纹等缺陷,去除金刚石的内部杂质和颜色,增加其透明度和洁净度,并可以在金刚石单晶外表面的各个取向上同质外延生长,得到纯净的较大尺寸金刚石单晶。该方法实现条件温和,运行成本低,可用于人造和天然金刚石单晶为晶种的修复及生长。 |
申请公布号 |
CN101696515A |
申请公布日期 |
2010.04.21 |
申请号 |
CN200910210558.1 |
申请日期 |
2009.11.10 |
申请人 |
宋建华 |
发明人 |
宋建华 |
分类号 |
C30B29/04(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/04(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法,其特征在于所述方法包括:采用金刚石沉积设备,以金刚石单晶为晶种,于700~2000℃的温度下进行气相沉积的内延修复和外延生长。 |
地址 |
100091 北京市海淀区大有北里129-405号 |