发明名称 金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法
摘要 一种金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法,其特征在于所述方法包括:采用CVD化学气相沉积金刚石设备,以金刚石单晶为晶种,于700~2000℃的温度下进行气相沉积的内延修复和外延生长。该方法能够同时实现金刚石单晶的同质内延修复和同质外延生长,其可用于修复现有金刚石的内部空洞和裂纹等缺陷,去除金刚石的内部杂质和颜色,增加其透明度和洁净度,并可以在金刚石单晶外表面的各个取向上同质外延生长,得到纯净的较大尺寸金刚石单晶。该方法实现条件温和,运行成本低,可用于人造和天然金刚石单晶为晶种的修复及生长。
申请公布号 CN101696515A 申请公布日期 2010.04.21
申请号 CN200910210558.1 申请日期 2009.11.10
申请人 宋建华 发明人 宋建华
分类号 C30B29/04(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法,其特征在于所述方法包括:采用金刚石沉积设备,以金刚石单晶为晶种,于700~2000℃的温度下进行气相沉积的内延修复和外延生长。
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