| 发明名称 | 一种半导体测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体测试结构，用于区分SRAM阵列中漏电流的来源，所述SRAM阵列包括多个SRAM单元，每个SRAM单元包括4个NMOS管和2个PMOS管，所述半导体测试结构包括：第一结构，其在衬底上形成有大面积的有源区；第二结构，其在衬底上形成有所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的有源区；第三结构，其在第二结构的基础上形成有金属硅化物层；第四结构，其在第三结构的基础上对应于所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的源极和漏极区域形成有接触孔；以及第五结构，其在第四结构的基础上形成有所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的栅极多晶硅层；其中，所述第一至第五结构形成于同一晶圆上。 | ||
| 申请公布号 | CN101697351A | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200910196451.6 | 申请日期 | 2009.09.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡剑 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种半导体测试结构，其特征在于，用于区分SRAM阵列中漏电流的来源，所述SRAM阵列包括多个SRAM单元，每个SRAM单元包括4个NMOS管和2个PMOS管，所述半导体测试结构包括：第一结构，其在衬底上形成有大面积的有源区；第二结构，其在衬底上形成有所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的有源区；第三结构，其在第二结构的基础上形成有金属硅化物层；第四结构，其在第三结构的基础上对应于所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的源极和漏极区域形成有接触孔；以及第五结构，其在第四结构的基础上形成有所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的栅极多晶硅层；其中，所述第一至第五结构形成于同一晶圆上。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||