| 摘要 |
1. Способ получения гетерогенного p-n перехода на основе наностержней оксида цинка, включающий выращивание методом газофазного осаждения вертикально ориентированных и смыкающихся у основания наностержней оксида цинка на проводящей подложке из легированного кремния, с последующим осаждением на них оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней, отличающийся тем, что осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение оксида никеля проводят электоронно-лучевым или магнетронным методом. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве легированного кремния берут кремний с удельным сопротивлением 0,1- 0,001 Ом·см. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что отношение длины к диаметру наностержней оксида цинка составляет 10-100. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней, составляющем 10-70°. |
