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PROCESSO DE DECAPAGEM E LIMPEZA DE FEOL, PARA REMOVER O FOTORESISTOR IMPLANTADO COM ìONS, NãO-DECAPADO DE UM SUBSTRATO DE LáMINAS DE SìLICIO. A presente invenção refere-se a uma composição de decapagem e limpeza na extremidade frontal da linha, para remover fotoresistor implantado com lons, não-decapado, de um substrato de lâmina de silício, compreendendo: (a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem; (b) lons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amónio, bifluoreto de amónio ou fluoreto de hidrogênio; (c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidos inorgânicos ou orgânicos; e (d) água, sendo que um agente oxidante também está opcionalmente presente na composição.
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