| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication de nanofils semiconducteurs (5) sur un substrat (1 ) comprenant une couche d'oxyde métallique (2), comprenant les étapes : (a) exposition de la couche d'oxyde métallique (2) à un plasma d'hydrogène (11) apte à produire une réduction de la couche (2) et à former des nanogouttes métalliques (3) de rayon (R ) en surface de la couche d'oxyde métallique (2) ; (b) dépôt assisté par plasma d'une couche mince (4) d'un matériau semi-conducteur sur la couche d'oxyde métallique (2), ladite couche mince (4) ayant une épaisseur (H ) apte à recouvrir les nanogouttes métalliques (3) ; (c) recuit thermique à une température T suffisante pour activer une croissance latérale de nanofils (5) par catalyse du matériau déposé en couche mince (4) à partir des nanogouttes métalliques (3). L'invention concerne également les nanofils (5) obtenus par le procédé de l'invention et des transistors nanométriques comprenant un nanofil semiconducteur (5), par exemple un nanofil de silicium (SiNW), pour former une liaison semiconductrice entre source (16), drain (17) et grille (18).</p> |
