Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem kohlenstoffenthaltenden leitenden Material für Durchgangskontakte

摘要

In einem Halbleiterbauelement wird ein Durchgangskontakt, der sich durch das Substrat des Bauelements erstreckt, auf der Grundlage eines kohlenstoffenthaltenden Materials hergestellt, wodurch eine ausgezeichnete Verträglichkeit mit Hochtemperaturprozessen erreicht wird, während auch gute elektrische Leistungsdaten im Vergleich zu dotierten Halbleitermaterialien und dergleichen erhalten werden. Somit werden in einigen anschaulichen Ausführungsformen die Durchgangskontakte vor Prozessschritten hergestellt, die zur Ausbildung von kritischen Schaltungselementen angewendet werden, wodurch eine Einwirkung der Durchgangskontaktstruktur auf eine Bauteilebene des entsprechenden Halbleiterbauelements im Wesentlichen vermieden wird. Folglich können sehr effiziente dreidimensionale Integrationsschemata realisiert werden.