| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen duenner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen durch Aufdampfen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1228889(B) |
申请公布日期 |
1966.11.17 |
| 申请号 |
DE1961S071923 |
申请日期 |
1961.01.03 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
GUENTHER DR. KARL-GEORG;FRELLER HELMUT |
| 分类号 |
C23C14/02;C23C14/06;C30B23/02;H01L21/00;H01L21/203;H01L21/205 |
主分类号 |
C23C14/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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