发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), wobei ein Träger (15) bereitgestellt wird, ein Halbleiterchip (14) mit einer ersten Fläche (11) und einer der ersten Fläche (11) gegenüberliegenden zweiten Fläche (12) bereitgestellt wird, der Halbleiterchip (14) über dem Träger (15) platziert wird, wobei die erste Fläche (11) dem Träger (15) zugewandt ist, und eine Spannung zwischen der zweiten Fläche (12) des Halbleiterchips (14) und dem Träger (15) zum Befestigen des Halbleiterchips (14) an dem Träger (15) angelegt wird.</p>
申请公布号 DE102009039227(A1) 申请公布日期 2010.04.15
申请号 DE20091039227 申请日期 2009.08.28
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 NIKITIN, IVAN
分类号 H01L21/58;H01L23/14 主分类号 H01L21/58
代理机构 代理人
主权项
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