半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体装置，在本发明的半导体装置中，第1，将隧道膜膜厚和设置于所述上部的顶部膜膜厚，任一者皆设定成FN穿隧区域的膜厚(4nm或其以上)。使隧道膜和顶部膜的膜厚任一者皆成为FN穿隧区域膜厚的方式，可提升资料保持特性。第2，于相邻设置的辅助栅极间的基板区域以高浓度设置和基板相同的传导型的不纯物区域。设置如所述高浓度区域的话，由于在朝辅助栅极施加偏压时形成的空乏层厚度明显地变薄，且产生于所述空乏层区域的能带间热空穴和注入至电荷积蓄区域的电子偶淹没，而使资料的消除变得容易。

主权项

一种半导体装置，具备有：半导体基板；电荷积蓄区域，设置于所述半导体基板上，且至少具有设置于字线下方的隧道氧化膜和储存膜；辅助栅极，设置于形成在半导体基板上的栅极绝缘膜上，且用以形成在所述半导体基板中作为配线使用的反转层；以及高浓度不纯物区域，是在彼此相邻的所述辅助栅极间的所述半导体基板中，且与所述半导体基板是相同的传导型，其中，所述高浓度不纯物区域延伸达所述辅助栅极的外缘部。