发明名称 存储器
摘要 根据本发明,通过减少元件数量,使安装区域减少并且产量提高,而且提供外围电路具有较少负荷的存储器及其驱动方法。本发明包含存储单元、列解码器和包含时钟控制反相器的选择器,其中存储单元在位线和字线与介于二者之间的绝缘体相交的区域包含存储元件。时钟控制反相器的输入节点连接到位线,而输出节点连接到数据线。在形成时钟控制反相器的多个串联的晶体管中,其源极或漏极连接到高电位端VDD上的电源的P-型晶体管的栅极和其源极或漏极连接到低电位端VSS上的电源的N-型晶体管的栅极连接到列解码器。
申请公布号 CN1581358B 申请公布日期 2010.04.14
申请号 CN200410056603.X 申请日期 2004.08.11
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 盐野入丰;热海知昭;加藤清
分类号 G11C17/08(2006.01)I 主分类号 G11C17/08(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 张雪梅;王勇
主权项 一种存储器,包含:位线;与所述位线交叉的字线;电连接到所述位线并电连接到所述字线的存储单元,所述存储单元包含存储元件;列解码器;以及包含时钟控制反相器与反相器的选择器,所述时钟控制反相器具有串联电连接在第一电源和第二电源之间的第一P型晶体管、第二P型晶体管、第一N型晶体管与第二N型晶体管,其中:所述时钟控制反相器的输入节点直接连接到所述位线,所述时钟控制反相器的输出节点电连接到数据线,所述第一P-型晶体管的栅电极和所述第一N-型晶体管的栅电极电连接到所述列解码器,所述第二P-型晶体管的栅电极和所述第二N-型晶体管的栅电极直接连接到所述位线,所述第二P-型晶体管的源极与漏极之一和所述第二N-型晶体管的源极与漏极之一电连接到所述数据线,以及不在所述位线和所述时钟控制反相器的所述输入节点之间插入读出放大器。
地址 日本神奈川县厚木市