发明名称 |
基于非易失性存储器单元的行为的编程方法 |
摘要 |
该用于编程一组存储器单元的处理是修改基于该等存储器单元的行为编程处理得以改进。例如,施加一组编程脉冲到一组快闪存储器单元的字线。对哪些存储器单元较易编程和哪些存储器单元较难编程作出判定。可基于哪些存储器单元较易编程和哪些存储器单元较难编程的所述判定来调整位线电压(或其它参数)。接着将藉由所述调整的位线电压(或其它参数)继续所述编程处理。 |
申请公布号 |
CN1879175B |
申请公布日期 |
2010.04.14 |
申请号 |
CN200480030734.9 |
申请日期 |
2004.10.12 |
申请人 |
桑迪士克股份有限公司;株式会社东芝 |
发明人 |
陈建;杰弗里·W·卢策;李彦;丹尼尔·C·古特曼;田中智晴 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
刘国伟 |
主权项 |
一种用于编程非易失性存储器的方法,包含:将在所述组非易失性存储元件中的每一非易失性存储元件分类为三个不同群组或三个以上不同群组的一者中,所述分类包括检测每个非易失性存储元件的可编程性,其中每一非易失性存储元件基于其经检测的可编程性而被分类到所述不同群组的一者中;和为所述不同群组的每一者使用一不同编程条件来编程所述非易失性存储元件;其中一非易失性存储元件的所述可编程性至少由可多快或多慢地编程所述非易失性存储元件来定义。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |