等离子体蚀刻方法和装置、控制程序和计算机存储介质

摘要

本发明提供一种等离子体蚀刻方法等，该方法当隔着在有机膜的上层形成的由含硅膜构成的掩模对有机膜进行等离子体蚀刻时，能够抑制在有机膜的侧壁部分发生弯曲、下陷情况，能够得到良好的蚀刻形状。将图形化的SiON膜(103)作为掩模，进行有机膜(102)的等离子体蚀刻，形成开口(108)。在该有机膜(102)等离子体蚀刻中，使用由含有含氧(O)气体、稀有气体、碳氟化合物气体(CF系气体)的混合气体构成的处理气体。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，该方法隔着由含硅膜构成的掩模并利用处理气体的等离子体对在被处理基板上形成的有机膜进行蚀刻，该等离子体蚀刻方法的特征在于：所述处理气体由含有含氧气体、稀有气体、碳氟化合物气体的混合气体构成。