半导体器件制造方法

摘要

本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：在绝缘表面上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第二导电层；在所述第二导电层上形成抗蚀剂掩模；通过使用所述抗蚀剂掩模进行干法蚀刻而处理所述第二导电层；以及通过使用所述抗蚀剂掩模进行湿法蚀刻而处理所述第一导电层，其中，在所述干法蚀刻中，所述第二导电层的蚀刻速率高于所述第一导电层的蚀刻速率，且其中，在所述湿法蚀刻中，所述第二导电层的蚀刻速率等于或高于所述第一导电层的蚀刻速率。