| 发明名称 | 半导体装置及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶硅基板、SOI基板、半导体装置、显示装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置在绝缘基板上具有，包含由SiO2膜、多晶硅构成的非单晶硅薄膜的MOS型的非单晶硅薄膜晶体管，具有单晶硅薄膜的MOS型的单晶硅薄膜晶体管，金属配线。由此，形成非单晶硅薄膜和单晶硅薄膜设备，提供集成高性能系统的半导体装置以及其制造方法，以及形成该半导体装置的单晶硅薄膜设备的单晶硅基板。 | ||
| 申请公布号 | CN101694847A | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200910207679.0 | 申请日期 | 2003.09.25 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 高藤裕;糸贺隆志 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 葛青 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，在绝缘基板上不同的区域分别形成非单晶硅薄膜构成的非单晶硅薄膜设备，以及单晶硅薄膜构成的单晶硅薄膜设备，作为所述非单晶硅薄膜使用连续晶界硅。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||