| 发明名称 | 超快恢复二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种超快恢复二极管，所述超快恢复二极管包括框架及焊接在框架上的至少一个芯片，所述超快恢复二极管的反向恢复时间为20-40ns，反向击穿电压为180V-300V。所述超快恢复二极管的反向击穿电压比传统的二极管要高，反向恢复时间比传统的二极管要短，可以很好的满足实际工作的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN201438466U | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200920132924.1 | 申请日期 | 2009.06.16 |
| 申请人 | 深圳市晶导电子有限公司 | 发明人 | 谭楠;高燕辉 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种超快恢复二极管，其特征在于：所述超快恢复二极管包括框架及焊接在框架上的至少一个芯片，所述超快恢复二极管的反向恢复时间为20-40ns，反向击穿电压为180V-300V。 | ||
| 地址 | 518101 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园三号厂房1-4层 | ||