通过新结构提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺

摘要

本发明涉及了一种通过新结构提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，包括包基材、芯片发光部分；其特征在于有一个上表面淀积一层绝缘层的导热性能优越的基材，其上刻蚀出跟所述芯片部分匹配的凹槽，在凹槽内部表面淀积有反光层，芯片发光部分被植入凹槽，在芯片发光部分最上部以及凹槽周壁上表面制作有透明电极层，p型金pad延伸至发光面外部对应于凹槽周壁上面透明电极层的上表面，本发明通过凹槽反光提高了发光二极管芯片的出光效率。

主权项

一种通过新结构提高出光效率的发光二极管芯片，包括基材(1)、芯片发光部分(5)；其特征在于有一个上表面淀积一层绝缘层(2)的导热性能优越的基材(1)，其上刻蚀出跟所述芯片部分(5)匹配的凹槽，在凹槽内部表面淀积有反光层(3)，芯片发光部分(5)被植入凹槽，在芯片发光部分最上部以及凹槽周壁上表面制作有透明电极层(6)，p型金pad(7)制作在发光面外部对应于凹槽周壁上面透明电极层(6)的上表面；所述基材(1)材料是硅或者是铜或者是AlN陶瓷；所述的透明电极层(6)是氧化锌电极或者是ITO电极或者是透明镍金电极。