| 发明名称 | 金属层的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属层的制造方法，包括步骤：形成金属薄膜层；对该金属薄膜层进行退火；继续生长，形成金属层；对所述金属层进行退火。所述金属层的厚度大于3微米。所述金属层形成的晶粒大于25微米。所述金属层的材质为铝或者铝合金。与现有技术相比，本发明的金属层，通过先形成一比较薄的金属层，然后退火，继而在此基础上继续生长，变厚，最后再次进行退火，形成比较粗大晶粒的金属层，从而降低所述金属层的电阻。而且，由于形成的金属层比较厚，进一步降低了所述金属层的电阻，从而使得采用所述金属层的制作方法形成的器件的互连电阻大大降低，提高了信号的传递速度，提高了芯片的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101694835A | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200910197109.8 | 申请日期 | 2009.10.13 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 许丹 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种金属层的制造方法，其特征在于，包括步骤：形成金属薄膜层；对该金属薄膜层进行退火；在所述金属薄膜层的基础上继续生长，形成金属层；对所述金属层进行退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||