| 发明名称 | Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金 | ||
| 摘要 | Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金，它涉及一种记忆合金。本发明解决了MnNiGa磁驱动合金比ΔM/ΔS值小的问题。本发明Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的分子式为Mn50Ni25Ga25-xSnx，分子式中x值为1～2。本发明的Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的添加了Sn元素，引起了磁晶各向异性的增加以及ΔM/ΔS比值的升高，均有利于在Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金中获得磁场诱发的马氏体相变，获得大的输出应力。 | ||
| 申请公布号 | CN101693970A | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200910309011.7 | 申请日期 | 2009.10.29 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 高智勇;吴迪;张婕;蔡伟;吴冶 |
| 分类号 | C22C22/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I | 主分类号 | C22C22/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人 | 韩末洙 |
| 主权项 | Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金，其特征在于所述Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的分子式为Mn50Ni25Ga25-xSnx，分子式中x值为1～2。 | ||
| 地址 | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||