基片抛光方法

摘要

公开了一种基片抛光方法，用于抛光基片，所述方法包括：提供用于保持基片的基片保持机构、具有抛光面的抛光台、用于将抛光液供应到抛光面上的抛光液供应嘴、用于被气体从中流经的气体流道、用于控制气体在气体流道中的流速的开度可调型定流量控制阀；抛光基片，其中将要被抛光的基片被基片保持机构保持并推压，从而基片被推压在抛光台的抛光面上，在抛光液被供应到抛光面上的同时，基片与抛光面相对运动，从而利用相对运动将基片抛光；其中，通过调节开度可调型定流量控制阀的开度来控制气体在气体流道中的流速，以便在抛光时连续地将气体直接供应到基片上，从而在基片的抛光过程中，基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。

主权项

一种基片抛光方法，用于抛光基片(W)，包括：提供用于保持所述基片的基片保持机构(221)、具有抛光面(201)的抛光台(200)、用于将抛光液供应到所述抛光面上的抛光液供应嘴(202)、用于被气体从中流经的气体流道(232)、用于控制气体在所述气体流道中的流速的开度可调型定流量控制阀(235)；抛光所述基片，其中将要被抛光的所述基片被所述基片保持机构保持并推压，从而所述基片被推压在所述抛光台(200)的抛光面(201)上，在抛光液被供应到所述抛光面(201)上的同时，基片(W)与所述抛光面(201)相对运动，从而利用所述相对运动将基片抛光；其中，通过调节所述开度可调型定流量控制阀(235)的开度来控制气体在所述气体流道(232)中的流速，以便在抛光时连续地将所述气体直接供应到所述基片上，从而在所述基片的抛光过程中，所述基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。