| 发明名称 | 一种提高出光率的LED封装结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种提高出光率的LED封装结构，包括支架散热块、LED芯片和金属导线，所述的支架散热块包括电极引脚，LED芯片置于支架散热块上，该LED芯片通过金属线配接于支架散热块的电极引脚上，其中：所述的支架散热上形成有一凹陷部，所述的LED芯片置于该凹陷部内，该LED芯片上包括有至少两层透明填充体；本实用新型通过在芯片表面包覆两层以上的透明填充体，从而可以将芯片表面逸出的光子最大限度的折射到空气中，提高LED的出光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN201437919U | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200920132265.1 | 申请日期 | 2009.05.27 |
| 申请人 | 世纪晶源科技有限公司 | 发明人 | 张坤;孙亮 |
| 分类号 | F21S2/00(2006.01)I;F21V19/00(2006.01)I;F21V23/00(2006.01)I;F21V29/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N | 主分类号 | F21S2/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种提高出光率的LED封装结构，包括支架散热块、LED芯片和金属导线，所述的支架散热块包括电极引脚，LED芯片置于支架散热块上，该LED芯片通过金属线配接于支架散热块的电极引脚上，其特征在于：所述的支架散热块上形成有一凹陷部，所述的LED芯片置于该凹陷部内，该LED芯片上包括有至少两层透明填充体。 | ||
| 地址 | 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) | ||