发明名称 | 制备CIS薄膜及器件的非真空液相化学法合成方法 | ||
摘要 | 本发明提出一种制备铜铟硒CIS薄膜的非真空液相化学法合成方法,包括以下步骤:制备前驱体料浆;利用所述前驱体料浆制备预制膜;硒化所述预制膜,得到黄铜矿结构的CIS薄膜。并且,利用本发明制备出的所述CIS薄膜成功制备出了电池器件。通过本发明可大面积均匀成膜,生产成本低,制程简单,易于大规模工业化生产,对CIS薄膜太阳能电池的发展具有重要推动作用。 | ||
申请公布号 | CN101694854A | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
申请号 | CN200910152060.4 | 申请日期 | 2009.07.28 |
申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 朱长飞;罗派峰;杨文兵;江国顺 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 张磊 |
主权项 | 一种制备铜铟硒CIS薄膜的非真空液相化学法合成方法,其特征在于,包括以下步骤:制备前驱体料浆;利用所述前驱体料浆制备预制膜;硒化所述预制膜,得到黄铜矿结构的CIS薄膜。 | ||
地址 | 230026 安徽省合肥市金寨路96号 |