发明名称 制备CIS薄膜及器件的非真空液相化学法合成方法
摘要 本发明提出一种制备铜铟硒CIS薄膜的非真空液相化学法合成方法,包括以下步骤:制备前驱体料浆;利用所述前驱体料浆制备预制膜;硒化所述预制膜,得到黄铜矿结构的CIS薄膜。并且,利用本发明制备出的所述CIS薄膜成功制备出了电池器件。通过本发明可大面积均匀成膜,生产成本低,制程简单,易于大规模工业化生产,对CIS薄膜太阳能电池的发展具有重要推动作用。
申请公布号 CN101694854A 申请公布日期 2010.04.14
申请号 CN200910152060.4 申请日期 2009.07.28
申请人 中国科学技术大学 发明人 朱长飞;罗派峰;杨文兵;江国顺
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京市立方律师事务所 11330 代理人 张磊
主权项 一种制备铜铟硒CIS薄膜的非真空液相化学法合成方法,其特征在于,包括以下步骤:制备前驱体料浆;利用所述前驱体料浆制备预制膜;硒化所述预制膜,得到黄铜矿结构的CIS薄膜。
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