| 发明名称 | 共享字线的基于氮化硅浮栅的分栅式闪存 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种共享字线的基于氮化硅浮栅的分栅式闪存，其包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于所述沟道区与所述源极区域上方；第二存储位单元，位于所述沟道区与所述漏极区域上方；字线，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一存储位单元和第二存储位单元之间，所述第二部分位于第一部分上方并向两侧延伸至第一存储位单元和第二存储位单元上方，其中，所述第一存储位单元和第二存储位单元为氮化硅浮栅。本发明提出的分栅式闪存，其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101694844A | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200910197118.7 | 申请日期 | 2009.10.13 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 曹子贵;孔蔚然;张博;张雄;顾靖 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种共享字线的基于氮化硅浮栅的分栅式闪存，其特征在于，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于所述沟道区与所述源极区域上方；第二存储位单元，位于所述沟道区与所述漏极区域上方；字线，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一存储位单元和第二存储位单元之间，所述第二部分位于第一部分上方并向两侧延伸至第一存储位单元和第二存储位单元上方，其中，所述第一存储位单元和第二存储位单元为氮化硅浮栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||