| 发明名称 | 氮化镓基大功率芯片散热结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，涉及大功率芯片技术领域；本实用新型包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，三氧化二铝衬底层的下面设置有散热金属层；本实用新型增加散热金属层，可将氮化镓基大功率芯片产生的热量快速散发出去，散热效果好，可延长芯片的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN201438472U | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200920060270.6 | 申请日期 | 2009.07.10 |
| 申请人 | 东莞市福地电子材料有限公司 | 发明人 | 张珠文;袁富胜;李宏彦;王维昀 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人 | 梁永宏 |
| 主权项 | 氮化镓基大功率芯片散热结构，包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，其特征在于，三氧化二铝衬底层的下面设置有散热金属层。 | ||
| 地址 | 523082 广东省东莞市南城蛤地福地电子材料有限公司 | ||