| 发明名称 | 一种提高晶体管性能的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种提高晶体管性能的方法，该方法通过采用一电流源对晶体管进行恒定电流基极偏置，并通过改善偏置条件获得合适的基极恒定电流，以使该晶体管获得较大的VA，本发明可以不影响晶体管的放大系数而使晶体管获得较大的VA，改善了晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101694993A | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200910194438.7 | 申请日期 | 2009.08.21 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈天兵;彭树根;曼纽拉·内耶 |
| 分类号 | H03K19/003(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/003(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种提高晶体管性能的方法，包括如下步骤：选择一电流源；利用该电流源对该晶体管进行基极电流偏置；调整该电流源使该晶体管基极产生一中等基极偏置电流。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||