发明名称 | 利用碳纳米管阵列来制造场致发射电极的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种制造场致发射电极的方法,其中碳纳米管(CNTs)按照产生磁场的方向排列。具体的,该方法包括以下步骤:在固定到电磁场发生器上部的基板上,对已在有机溶剂中稀释的碳纳米管(CNTs)溶液进行分散,固定以电磁场发生器所产生的电磁场方向排列的碳纳米管。根据所公开的方法,通过简单的过程制造出按照所产生的电磁场方向排列的高密度、高性能的碳纳米管,并可应用于场致发射显示器(FED)的阳极材料,传感器,电极,背光以及类似物。 | ||
申请公布号 | CN101079356B | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
申请号 | CN200710103761.X | 申请日期 | 2007.05.23 |
申请人 | 韩国科学技术院 | 发明人 | 郑喜台;尹相天;高永观 |
分类号 | H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 楼高潮 |
主权项 | 一种制造场致发射电极的方法,该场致发射电极包括按照磁场方向排列的碳纳米管,该方法包括以下步骤:(a)在固定到磁场发生器上部的基板上,对已在有机溶剂中稀释的碳纳米管的溶液或已在有机溶剂中稀释的结合了磁性粒子的碳纳米管的溶液进行分散;(b)在磁场发生器所产生的磁场中,通过蒸发分散在基板上的溶液中有机溶剂,在基板上按照磁场方向排列碳纳米管;和(c)在基板上沉积金属,使得即使在零磁场条件下,按照产生的磁场方向排列的碳纳米管在其排列方向上固定。 | ||
地址 | 韩国大田广域市儒城区九城洞373-1番地 |