| 发明名称 | 离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种离子注入方法，根据注入离子能量的高低，按照由低到高的顺序进行注入。比如，首先对阈值电压控制区进行离子注入；再对通道区域进行离子注入；最后对阱区进行离子注入。本发明调整离子注入的顺序，将具有较低能量的离子首先注入，使得高能离子注入带来的不利影响降低，提高器件的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101414554B | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200710047121.1 | 申请日期 | 2007.10.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙昌;王艳生;廖奇泊;王蕾;郭君 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种半导体工艺中的离子注入方法，其特征在于，根据注入离子能量的高低，按照由低到高的顺序进行注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||