监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法

摘要

一种监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法。该方法通过对主单元施加第一编程电压来对主单元进行编程，然后测量主单元的阈值电压。该方法使用第二编程电压和第三编程电压对周边单元进行编程，然后测量周边单元的阈值电压。该方法测量由周边单元的所测量阈值电压所改变的主单元的阈值电压，然后通过使用主单元和周边单元的所测量阈值电压之间的干扰关联来预测周边单元的页的初始擦除阈值电压分布。

主权项

一种监视NAND闪速存储器件中的擦除阈值电压分布的方法，该方法包括：擦除存储块；通过对主单元施加第一编程电压来测量所述主单元的阈值电压；通过对周边单元施加第二编程电压来测量改变后的所述主单元的阈值电压和所述周边单元的阈值电压；通过对所述周边单元施加第三编程电压来测量所述主单元的阈值电压和所述周边单元的阈值电压；计算所述第二和第三编程电压与所述主单元和所述周边单元的阈值电压之间的干扰关联；以及使用所述干扰关联来获得所述主单元和所述周边单元的擦除分布，其中，所述干扰关联表示为Y＝aX+b，其中，X是所述周边单元的擦除阈值电压值，a是干扰耦合比，b是在通过使用所述第一编程电压执行编程操作后所测量的所述主单元的阈值电压，以及Y是由根据每个所测量的周边单元的阈值电压值的干扰所改变的所述主单元的阈值电压。