发明名称 能够在半密度和全密度模式之间切换的DRAM及其操作方法
摘要 一种在半密度或全密度模式下操作存储器,并在需要时在各模式间切换的方法和装置。存储器设备在起动时默认设置成半密度操作以降低功耗,并在低地址全满时切换至全密度操作。当高地址再次为空时,该设备切换回半密度操作。
申请公布号 CN1989569B 申请公布日期 2010.04.14
申请号 CN200580021059.8 申请日期 2005.06.27
申请人 微米技术股份有限公司 发明人 J·W·简泽恩
分类号 G11C7/10(2006.01)I;G11C8/06(2006.01)I 主分类号 G11C7/10(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陈炜
主权项 一种操作存储器设备的方法,包括:在半密度模式下仅把数据写入偶数内部行,直到所有这些偶数内部行全满;当奇数内部行第一次被存取时切换至全密度模式;在全密度模式下写入任何行;当不再需要奇数行时切换回半密度模式,其中所述切换回半密度模式还包括:组织所述存储器设备内剩余的原始数据以便将所有剩余数据写入所述存储器的偶数行;以及刷新擦洗,包括:激活含有经组织的剩余原始数据的偶数字线;用读出放大器读出所述经组织的剩余原始数据;激活奇数字线;预充电奇数字线和偶数字线;以及在所述偶数字线上存储所述经组织的剩余原始数据并在所述奇数字线上存储互补数据。
地址 美国爱达荷州
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