| 主权项 |
一种功率金氧半导体场效电晶体，包括：具有一第一导电型之一基底；具有该第一导电型之一磊晶层，配置在该基底上；具有一第二导电型之一主体层，配置在该磊晶层中，其中一沟渠配置在该主体层及部分该磊晶层中；一隔离结构，配置于该沟渠之一侧的该基底上；一第一氧化物层，配置于该沟渠的表面；一第一导体层，填满该沟渠并延伸至部分该隔离结构上；一介电层，配置于该第一导体层及该隔离结构上，且具有曝露部分该第一导体层之一开口；具有该第一导电型的至少一源极区，配置于该沟渠之另一侧的该主体层中；一第二导体层，配置于该介电层上，且与该源极区电性连接，但与该第一导体层藉由该介电层而电性隔绝；以及一第三导体层，配置于该介电层上，且经该介电层的该开口与该第一导体层电性连接，其中该第二导体层与该第三导体层分开。 |
