多晶矽薄膜的制作方法与改善矽基元件均匀度的方法

摘要

一种低温多晶矽薄膜电晶体(LTPS－TFT)之多晶矽薄膜的制作方法，包括先于基板上形成一层非晶矽薄膜，再将形成有非晶矽薄膜之基板浸泡在一种混合溶液中，其中混合溶液包括一种氟离子源以及用来调整氟离子的含量的一种酸液。接着，结晶化上述非晶矽薄膜，以形成一层多晶矽薄膜，之后再将形成有多晶矽薄膜的基板浸泡在上述混合溶液中。本发明因为有上述浸泡步骤，故而使多晶矽晶粒边界缺陷以及多晶矽和闸极绝缘层之介面缺陷减少，进而改善元件均匀性。

主权项

一种多晶矽薄膜的制作方法，包括：于一基板上形成一非晶矽薄膜；将形成有该非晶矽薄膜之该基板浸泡在一混合溶液中，其中该混合溶液包括一氟离子源以及用来调整氟离子的含量的一酸液；结晶化该非晶矽薄膜，以形成一多晶矽薄膜；以及将形成有该多晶矽薄膜之该基板浸泡在该混合溶液中。