发明名称 功率电晶体之封装结构
摘要 本创作有关于一种功率电晶体之封装结构,主要包括有一承载板及一功率电晶体,其中功率电晶体包括有一基板,并透过基板的第一表面与该承载板相连接,且基板的第一表面上设置有至少一源极及至少一闸极,在完成功率电晶体与承载板之间的连接后,可进一步对基板的第二表面进行研磨,藉此将可以减少功率电晶体之基板的厚度,并有利于降低功率电晶体之串联电阻。
申请公布号 TWM378477 申请公布日期 2010.04.11
申请号 TW098216838 申请日期 2009.09.11
申请人 芯巧科技股份有限公司 新竹市东大路2段3号3楼;梁伟成 新竹市东大路2段3号3楼 发明人 梁伟成;林昶伸
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 张秀夏;黄淑芬
主权项 一种功率电晶体之封装结构,包括有:一承载板;一功率电晶体,包括有:一基板,包括有一第一表面及一第二表面,并以该第一表面的方向与该承载板连接;至少一源极,设置于该基板的第一表面;及至少一闸极,设置于该基板的第一表面。
地址 新竹市东大路2段3号3楼;新竹市东大路2段3号3楼