半导体装置及其制造方法

摘要

一种具有可增加耐热性之WPL结构之半导体装置，且一分布在一PI膜上之屏障层与一晶片用Si基板系形成在该Si基板与一密封树脂之间，以包围该晶片之所有侧。该屏障层之材料系选择可在该屏障层与该Si基板之间、在该屏障层与该PI膜之间、及在该屏障层与该密封树脂之间得到良好之黏着力者。因此，即使一裂缝出现在该半导体装置一侧上之一部份处，即，该Si基板与该密封树脂在加热环境下结合处，该裂缝亦不会延伸至该屏障层内侧。这可防止该密封树脂剥离或在该晶片内发生剥离，并且维持该半导体装置之效能。

主权项

一种半导体装置，其包含：一晶片；一薄膜层，其形成在该晶片之一第一表面的一部分上；一重配线，其形成在该薄膜层的一部分上；一屏障层，其形成在该薄膜层的边缘部份及侧部分上且设在该晶片之该第一表面的一部份上；及一密封树脂，其形成在该晶片之该第一表面上且覆盖该屏障层、该重配线及该薄膜层。