半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，系应用闸极置换制程。半导体结构具有毗连接触(butted contact)，其电性连接源极/汲极至一闸极延伸(gate extension)。上述之半导体结构更包括一接触垫设于源极/汲极上与其电性电连接。接触垫可降低电阻，亦可减少毗连接触与源极/汲极间断路(open)的可能性。接触垫之上表面较佳与闸极延伸等高。

主权项

一种半导体结构，包括：一浅沟槽绝缘区，位于一基板中；一第一电晶体，包括一闸极位于该基板上，以及一源极/汲极邻接该浅沟槽绝缘区；一闸极延伸，位于该浅沟槽绝缘区之上，且电性连接至一第二电晶体之一闸极；一毗连接触(Butted Contact)，位于该闸极延伸之上，并电性连接至该闸极延伸；以及一接触垫，电性连接该毗连接触与该第一电晶体之该源极/汲极，其中该接触垫位于该毗连接触之下，且该接触垫之上表面实质上与该闸极延伸之上表面等高。