相变化记忆体之写入方法

摘要

一相变化记忆体之写入方法，该相变化记忆体具有非结晶相与结晶相两种状态，该写入方法提供一阶梯型电流脉波，包括对该相变化记忆体提供一第一结晶化电流脉波以及对该相变化记忆体提供一第二结晶化电流脉波，该第一结晶化电流脉波具有一第一上升边缘、一第一下降边缘以及一第一电流峰值，且该第一电流峰值之维持时间为第一维持时间，该第二结晶化电流脉波具有一第二电流峰值，该第二电流峰值接续该第一下降边缘，且其维持时间为第二维持时间。

主权项

一种相变化记忆体之写入方法，包括：对该相变化记忆体提供一第一结晶化电流脉波，该第一结晶化电流脉波具有一第一上升边缘、一第一下降边缘以及一第一电流峰值，且该第一电流峰值之维持时间为第一维持时间；以及对该相变化记忆体提供一第二结晶化电流脉波，该第二结晶化电流脉波具有一第二电流峰值以及一第二下降边缘，该第一下降边缘之最低值为该第二电流峰值，且该第二电流峰值之维持时间为第二维持时间，其中，该第一上升边缘具有非零的一上升时间，该第一下降边缘具有非零的一第一下降时间，且该第二下降边缘具有非零的一第二下降时间。