薄膜电晶体阵列基板及其制造方法

摘要

一种薄膜电晶体阵列基板及其制造方法，用于防止影像品质的劣化。薄膜电晶体阵列基板的制造方法中，透明导体材料和金属材料依序地沉积于基板之上，透过第一道光罩制程图案化透明导体材料和金属材料以形成闸极金属图案，其中包含由透明导体材料和金属材料沉积形成的双层结构之闸极线，连接于闸极线的薄膜电晶体的闸电极，延伸自闸极线的闸极垫，平行于闸极线的共同线以及垂直延伸自共同线且形成指状结构的共同电极，以及形成由透明导体材料组成之画素电极，并且其与共同电极一起提供水平电场。第一绝缘材料、第一半导体材料以及第二半导体材料依序地沉积于配设有闸极金属图案和画素电极的基板之上。透过第二道光罩制程图案化第一绝缘材料、第一半导体材料以及第二半导体材料以形成闸极绝缘层，其中包含暴露画素电极的第一接触孔，位于闸极绝缘层上且由第一半导体材料组成的主动层，重叠于闸电极及主动层上且由第二半导体材料组成的欧姆接触层；源极/汲极金属材料沉积于配设有第一接触孔、主动层和欧姆接触层之基板上。透过第三道光罩制程图案化源极/汲极金属材料以形成资料金属图案，其中包含资料线，其与闸极线相交且两者之间包含有闸极绝缘层；透过第一接触孔与画素电极接触之汲电极；与汲电极分离的源电极，此两者之间包含有薄膜电晶体的通道；以及延伸自闸极线的资料垫。第二绝缘材料完全涂覆于配设有资料金属图案的下基板之上。透过第四道光罩制程图案化第二绝缘材料，以形成暴露闸极垫的第二接触孔和暴露资料垫的第三接触孔。

主权项

一种薄膜电晶体阵列基板之制造方法，包含以下步骤：依序地沉积一透明导体材料和一金属材料于一基板之上；进行一第一道光罩制程，用于图案化该透明导体材料和该金属材料以形成一闸极金属图案，其中该闸极金属图案包含一闸极线，其具有一由该透明导体材料和该金属材料所沉积形成之双层结构，一闸电极，系连接于该闸极线，一闸极垫，系延伸自该闸极线，一共同线，系平行于该闸极线，以及一共同电极，系垂直延伸自该共同线并且形成一指状结构，以及形成一由该透明导体材料所组成之画素电极，用以与该共同电极一起提供一水平电场；依序地沉积一第一绝缘材料、一第一半导体材料以及一第二半导体材料于配设有该闸极金属图案和该画素电极之该基板上；进行一第二道光罩制程，用于图案化该第一绝缘材料、该第一半导体材料以及该第二半导体材料以形成一闸极绝缘层，其具有暴露该画素电极之一第一接触孔，一主动层，其系由该第一半导体材料所组成于该闸极绝缘层之上，且重叠于一闸电极，以及一欧姆接触层，由该第二半导体材料组成于该主动层之上；沉积一源极/汲极金属材料于配设有该第一接触孔、该主动层和该欧姆接触层之该基板上；进行一第三道光罩制程，用于图案化该源极/汲极金属材料以形成一资料金属图案，其包含一资料线，系与该闸极线相交且与该闸极线之间具有该闸极绝缘层，一汲电极，系透过该第一接触孔与该画素电极相接触，一源电极，系与该汲电极相分离且该源电极与该汲电极之间包含该薄膜电晶体之一通道，以及一闸极垫，系延伸自该闸极线；完全涂覆一第二绝缘材料于配设有该资料金属图案之该基板上；以及进行一第四道光罩制程，用以图案化该第二绝缘材料，以形成一第二接触孔，用于暴露该闸极垫，以及一第三接触孔，用于暴露该资料垫。