单一闸极氧化层位准移位器

摘要

一种位准移位器，包括第一反向器、第二反向器、第一开关单元、以及第二开关单元。第一反向器耦接于第一电压与第二电压之间。第二反向器耦接于第一电压与第二电压之间。第二反向器与第一反向器交叉耦接以箝制其内之电压值。第一开关单元耦接于第一与第二反向器之第一资料储存节点与输入信号之间，其中，输入信号在第一电压与接地电压间摆动。第二开关单元耦接于第一与第二反向器之第二资料储存节点与反相输入信号之间，其中，反相输入信号在接地电压与第一电压间摆动。第一与第二反向器以及第一与第二开关单元包括具有相同厚度之闸极氧化层之一或复数MOS电晶体。

主权项

一种单一闸极氧化层位准移位器，用以将操作在一第一电压之一第一电路接合至操作在一第二电压之一第二电路，且该第二电压高于该第一电压，该位准移位器包括：一第一反向器，耦接于该第二电压与该第一电压之间；一第二反向器，耦接于该第二电压与该第一电压之间，其中，该第二反向器与该第一反向器交叉耦接以箝制其内之一电压值；一第一开关单元，耦接于该第一与第二反向器之一第一资料储存节点与一输入信号之间，其中，该输入信号在该第一电压与一接地电压间摆动；以及一第二开关单元，耦接于该第一与第二反向器之一第二资料储存节点与一反相输入信号之间，其中，该反相输入信号在该接地电压与该第一电压间摆动；其中，该第一与第二反向器以及该第一与第二开关单元包括具有相同厚度之闸极氧化层之一或复数金氧半导体(metal－oxide－semiconductor，MOS)电晶体。