电浆蚀刻方法

摘要

提供对于高介电率绝缘体构成之绝缘材料层上形成的含有迁移金属元素之电极材料层，可以高选择比施予蚀刻处理的蚀刻技术。电浆蚀刻方法，系将具备积层体之试料配置于真空处理容器内设置之下部电极上，该积层体为：含有迁移金属元素的电极材料层、与高介电率绝缘体所构成之绝缘材料层的积层体，于上述真空处理容器内导入处理气体，对上述真空处理容器内供给高频电力，使上述导入之处理气体电浆化而对上述试料表面施予蚀刻处理者；蚀刻上述电极材料层时，系供给HCl气体作为处理气体。

主权项

一种电浆蚀刻方法，系将具有积层体之试料配置于真空处理容器内设置之下部电极上，该积层体为：(a)含有迁移金属元素之层、MOS电晶体之闸极用的该层，与(b)高介电率绝缘体构成之底层绝缘材料层的积层体；用于形成MOS电晶体之金属闸极构造的上述MOS电晶体之制造中的电浆蚀刻方法；其特征为：由以下步骤构成：为蚀刻上述试料表面，将含有HCl的处理气体导入上述真空处理容器内，对上述真空处理容器内供给高频电力，使上述导入之处理气体电浆化的步骤：对上述下部电极施加RF偏压之第1电力，而进行针对上述底层绝缘材料层上之MOS电晶体之闸极用的层之一部分之蚀刻的主蚀刻制程之步骤；及为使上述底层绝缘材料层露出，而对上述下部电极施加RF偏压之第2电力，进行针对上述闸极用的层之蚀刻的过蚀刻(over etching)制程之步骤；为提升上述闸极用之层之蚀刻对于上述底层绝缘材料层蚀刻之选择性，依毫瓦/平方公分计算，将上述第2电力设为上述第1电力以下。