半导体元件之沟渠隔离结构的制造方法

摘要

在半导体元件之沟渠隔离结构的制造方法中，在无缺陷产生之情况下，获得优良的间隙充填性质。在一态样中，所述方法包含：将于其中形成沟渠之基板装载入高密度电浆(HDP)化学气相沈积装置中；第一次加热基板；将第一偏压功率施加至装置，以在沟渠之侧壁及底面上形成HDP氧化物衬层，在形成HDP氧化物衬层后，在沟渠中留有间隙；移除施加的第一偏压功率，且第二次加热基板；施加第二偏压功率至基板，第二偏压功率的功率位准大于第一偏压功率的功率位准，以形成HDP氧化膜来充填沟渠中的间隙；以及自装置卸载基板。

主权项

一种半导体元件之沟渠隔离结构的制造方法，其包含：将于其中形成有沟渠之基板装载入高密度电浆(HDP)化学气相沈积装置中；第一次加热所述基板；将第一偏压功率施加至所述高密度电浆化学气相沈积装置，以在所述沟渠的侧壁及底面上形成HDP氧化物衬层，在形成所述HDP氧化物衬层后，在所述沟渠中留有间隙；移除施加的所述第一偏压功率，且第二次加热所述基板；施加第二偏压功率至所述基板，所述第二偏压功率的功率位准大于所述第一偏压功率的功率位准，以形成HDP氧化膜来充填所述沟渠中的所述间隙；以及自所述高密度电浆化学气相沈积装置卸载所述基板。