| 摘要 |
1. Способ изготовления GaN-й подложки (10, 31), имеющей с-плоскость, для изготовления эпитаксиальной пластины (20, 30) путем последовательного наращивания на упомянутой с-плоскости по меньшей мере двух слоев, включая слой (21, 34) AlxGa(1-x)N с составом x по Al больше нуля и не более 0,3 и толщиной больше нуля и не более 30 нм и слой (22, 35) GaN, включающий в себя стадии: ! принятие значения t1, найденного по следующему выражению 1, в качестве минимальной толщины упомянутой GaN-й подложки (10, 31): ! (1,5·1011·t13+1,2·1011·t23)·{1/(1,5·1011·t1)+1/(1,2·1011·t2)}/{15,96·x·(1-a2/a1)}·(t1+t2)+(t1·t2)/{5,32·x·(1-a2/a1)}-(r2+h2)/2h=0 (выражение 1), ! при условии, что t1 (м) обозначает толщину упомянутой GaN-й подложки (10, 31), r (м) - радиус упомянутой GaN-й подложки (10, 31), t2 (м) - толщину упомянутого слоя (21, 34) AlxGa(1-x)N, x - состав по Al в упомянутом слое (21, 34) AlxGa(1-x)N, h (м) - прогиб упомянутой эпитаксиальной пластины (20, 30), a1 - постоянную решетки GaN, и a2 - постоянную решетки AlN; и ! вырезание упомянутой GaN-й подложки (10, 31) с толщиной, по меньшей мере равной упомянутой минимальной толщине и меньшей 400 мкм из слитка GaN. ! 2. Способ изготовления GaN-й подложки (10, 31) по п.1, в котором на упомянутой стадии вырезания упомянутой GaN-й подложки упомянутую GaN-ю подложку (10, 31) формируют с толщиной, по меньшей мере равной упомянутой минимальной толщине и составляющей по меньшей мере 100 мкм и менее 250 мкм. ! 3. Способ изготовления эпитаксиальной пластины (20, 30), включающий в себя стадии: ! изготовление GaN-й подложки (10, 31) способом изготовления GaN-й подложки (10, 31) по п.1; ! формирование слоя (21, 34) AlxGa(1-x)N на упомянутой с-плоскости упомянутой GaN-й подложки (10, 31); и ! формирование слоя (22, 35) GaN на упомянутом слое (21, 34) AlxGa(1-x)N. ! 4. Способ изготовления полупроводникового прибора ( |
