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发明名称
Semiconductor memory device having TiN lower electrode and method for manufacturing the same
摘要
申请公布号
KR100951557(B1)
申请公布日期
2010.04.09
申请号
KR20030038480
申请日期
2003.06.14
申请人
发明人
分类号
H01L27/108
主分类号
H01L27/108
代理机构
代理人
主权项
地址
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